Texas Instruments CSD16409Q3 Полевые транзисторы (Одиначные)

Производитель:

Texas Instruments

Описание:

MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON

Даташит（PDF）:

Серия:

NexFET™

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

8.2 mOhm @ 17A, 10V

Drain to Source Voltage (Vdss):

25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C:

60A

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) @ Vgs:

5.6nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

800pF @ 12.5V

Тип FET:

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Особенности FET:

Logic Level Gate

Мощность (макс.):

2.6W

Тип монтажа:

Surface Mount

Корпус:

8-TDFN Exposed Pad