Fairchild Semiconductor FDN5618P Полевые транзисторы

Производитель:

Fairchild

Описание:

MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Даташит:

Серия:

PowerTrench®

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

170 mOhm @ 1.25A, 10V

Drain to Source Voltage (Vdss):

60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C:

1.25A

Vgs(th) (Max) @ Id:

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) @ Vgs:

13.8nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

430pF @ 30V

Тип FET:

MOSFET P-Channel, Metal Oxide

Особенности FET:

Logic Level Gate

Мощность (макс.):

460mW

Тип монтажа:

Surface Mount

Корпус:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3