MICRON MT46V32M16CY-5B:J DRAM Chip DDR SDRAM 512M

Информации заказа

Свяжитесь с нами для подробной цены

Номер артикула

MT46V32M16CY-5B:J

Сортамент продукции

512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM

Бренд

MICRON

Применение

DRAM 

Параметры

VDD = 2.5V ±0.2V, VDDQ = 2.5V ±0.2V

VDD = 2.6V ±0.1V, VDDQ = 2.6V ±0.1V (DDR400)1

• Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/

received with data, i.e., source-synchronous data

capture (x16 has two – one per byte)

• Internal, pipelined double-data-rate (DDR)

architecture; two data accesses per clock cycle

• Differential clock inputs (CK and CK#)

• Commands entered on each positive CK edge

• DQS edge-aligned with data for READs; centeraligned

with data for WRITEs

• DLL to align DQ and DQS transitions with CK

• Four internal banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for masking write data

(x16 has two – one per byte)

• Programmable burst lengths: 2, 4, or 8

• Auto refresh

– 64ms, 8192-cycle

• Longer-lead TSOP for improved reliability (OCPL)

• 2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

• Concurrent auto precharge option is supported

Техническая документация

Способ платежа

1. Пересылка через банк  2.Paypal   3. Вестерн Юнион 4.Наличная сделка

Средство передвижение

1.      EMS

2.      TNT

3.      DHL

4.      FedEx

5.      China post

6.      Other special

Гарантия качества

Все элементы являются оригинальными и подлинными, если не соответствует, можете немедленно нам их эвозвращать и заменять.

Если хотите узнать более о нас, посетите наш веб-сайт: www.rumjd.com/about