Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada
Консультация

Infineon BGA7H1N6 РЧ усилитель LTE Low Noise Amplifier

Infineon BGA7H1N6 РЧ усилитель LTE Low Noise Amplifier

изображения

 

Информации заказа

Свяжитесь с нами для подробной цены

Номер артикула

BGA7H1N6

Сортамент продукции

РЧ-усилитель LTE Low Noise Amplifier

Бренд

Infineon

Применение

LTE

Параметры

Insertion power gain: 12.5 dB

Low noise figure: 0.60 dB

Low current consumption: 4.7 mA

Operating frequencies: 2300 - 2690 MHz

Supply voltage: 1.5 V to 3.3 V

Digital on/off switch (1V logic high level)

Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2)

B7HF Silicon Germanium technology

RF output internally matched to 50 Ω

Only 1 external SMD component necessary

2kV HBM ESD protection (including AI-pin)

Техническая документация

Способ платежа

1. Пересылка через банк  2.Paypal   3. Вестерн Юнион 4.Наличная сделка

Средство передвижение

1.      EMS

2.      TNT

3.      DHL

4.      FedEx

5.      China post

6.      Other special

Гарантия качества

Все элементы являются оригинальными и подлинными, если не соответствует, можете немедленно нам их эвозвращать и заменять.

Если хотите узнать более о нас, посетите наш веб-сайт: www.rumjd.com/about

 

 

Больше
Количество кликов:0 | Время обновления:2015-10-15 10:17:50
Copyright © 2012-2013 Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada Права защищены 粤ICP备05062024号-15
Телефон:86755-83294757    Факс:0755-83957753    Email:sales@hkmjd.com
Адрес:Здание Азии Guoli комнаты 1239, 1241, ул. Zhenzhong, заречье Futian, город Шэньчжэнь, Китай.