TOSHIBA GT10G131 Биполярные транзисторы с изолированным затвором

Информации заказа

Свяжитесь с нами для подробной цены

Номер артикула

GT10G131 

Сортамент продукции

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) X35 Pb-F IGBT TRANSISTOR ; SOP-8; MOQ=3000; PC=1.9W; F=1MHZ

Бренд

TOSHIBA 

Применение

Строб-Вспышкой

Параметры

5th generation (trench gate structure) IGBT

Enhancement-mode

4-V gate drive voltage: VGE = 4.0 V (min) (@IC = 200 A)

Peak collector current: IC = 200 A (max)

Built-in zener diode between gate and emitter

SOP-8 package

Техническая документация

Способ платежа

1. Пересылка через банк  2.Paypal   3. Вестерн Юнион 4.Наличная сделка

Средство передвижение

1.      EMS

2.      TNT

3.      DHL

4.      FedEx

5.      China post

6.      Other special

Гарантия качества

Все элементы являются оригинальными и подлинными, если не соответствует, можете немедленно нам их эвозвращать и заменять.

Если хотите узнать более о нас, посетите наш веб-сайт: www.rumjd.com/about