TOSHIBA TPCC8A01 MOSFET силы N-Channel MOS Type (U-MOS V-H)

Информации заказа

Свяжитесь с нами для подробной цены

Номер артикула

TPCC8A01

Сортамент продукции

MOSFETs

Бренд

TOSHIBA

Применение

Портативное Оборудование / Notebook PCs

Параметры

Built-in a Schottky barrier diode

Low forward voltage: VDSF = −0.6 V (max)

• High-speed switching

• Small gate charge: QSW = 4.1 nC (typ.)

• Low drain-source ON-resistance:

RDS (ON) = 9.0 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 52 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 30 V)

• Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Техническая документация

Способ платежа

1. Пересылка через банк  2.Paypal   3. Вестерн Юнион 4.Наличная сделка

Средство передвижение

1.      EMS

2.      TNT

3.      DHL

4.      FedEx

5.      China post

6.      Other special

Гарантия качества

Все элементы являются оригинальными и подлинными, если не соответствует, можете немедленно нам их эвозвращать и заменять.

Если хотите узнать более о нас, посетите наш веб-сайт: www.rumjd.com/about