Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada
Консультация

ZENTEL A3R12E40CBF 8E 512Mb DDRII Synchronous DRAM

  ZENTEL A3R12E40CBF-8E 512Mb DDRII Synchronous DRAM 

ZENTEL

 

A3R12E40CBF-8E

A3R12E40CBF-8E  Лист данных

Категория продукта

512Mb DDRII SDRAM

приложение

Automotive

спецификация

Density: 512M bits

Organization

16M words × 8 bits × 4 banks (A3R12E30CBF)

8M words × 16 bits × 4 banks (A3R12E40CBF)

Package

60-ball FBGA(μBGA) (A3R12E30CBF)

84-ball FBGA(μBGA) (A3R12E40CBF)

Lead-free (RoHS compliant)

Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V

Data rate: 1066Mbps/800Mbps(max.)

1KB page size (A3R12E30CBF)

Row address: A0 to A13

Column address: A0 to A9

2KB page size (A3R12E40CBF)

Row address: A0 to A12

Column address: A0 to A9

Four internal banks for concurrent operation

Interface: SSTL_18

Burst lengths (BL): 4, 8

Burst type (BT):

Sequential (4, 8)

Interleave (4, 8)

/CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6, 7

Precharge: auto precharge option for each burst

access

Driver strength: normal/weak

Refresh: auto-refresh, self-refresh

Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8μs at -40°C TC +85°C

3.9μs at +85°C < TC +95°C

Operating case temperature range

TC = -40°C to +85°C

Если хотите узнать более о нас, посетите наш веб-сайт: www.rumjd.com/about

     

 

Больше
Количество кликов:0 | Время обновления:2015-12-08 18:10:30
Copyright © 2012-2013 Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada Права защищены 粤ICP备05062024号-15
Телефон:86755-83294757    Факс:0755-83957753    Email:sales@hkmjd.com
Адрес:Здание Азии Guoli комнаты 1239, 1241, ул. Zhenzhong, заречье Futian, город Шэньчжэнь, Китай.