Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada
2SC4117 Биполярные транзисторы BJT
| Производитель: | Toshiba | |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT | |
| RoHS: |  Подробности |
|
| Конфигурация: | Single | |
| Полярность транзистора: | NPN | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 120 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 120 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 300 mV | |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 100 mA | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz | |
| Максимальная рабочая температура: | + 125 C | |
| Вид монтажа: | SMD/SMT | |
| Упаковка / блок: | SC-70-3 | |
| Торговая марка: | Toshiba | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 200 at 2 mA at 6 V | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 700 at 2 mA at 6 V | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Упаковка: | Reel | |
| Pd - рассеивание мощности: | 100 mW | |
| Технология: | Si |
|
|
||
|
Биполярные транзисторы - BJT Transistor |
||
|
Low Freq. Amplification |
||
|
спецификация |
High Votage: Vceo=120V Excellent hFE Linearity: hFE(Ic=0.1mA)/hFE(Ic=2mA) =0.95(Typ.) High hFE:hFE=200~700 Low Noise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max) Complementary to 2SA1587 Small Package |
|
|
Если хотите узнать более о нас, посетите наш веб-сайт: www.rumjd.com/about |
||
2SC4117