IR IRG4PF50WD IRG4PF50WDPBF Биполярные транзисторы с изолированным затвором

Производитель

IR

Номер в каталоге производителя

IRG4PF50WDPBF

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHz

Лист данных

IRG4PF50WD Серия

Изображение

Характеристики

Конфигурация:     Single  

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     900 V  

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:   2.25 V 

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V   

Непрерывный коллекторный ток при 25 C:     51 A    

Ток утечки затвор-эмиттер:    100 nA

Pd - рассеивание мощности:   200 W 

Вид монтажа:   Through Hole  

Упаковка / блок:  TO-247-3  

Максимальная рабочая температура:      + 150 C    

Упаковка: Tube   

Торговая марка:  Infineon / IR   

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:    51 A    

Минимальная рабочая температура:   - 55 C 

Вес изделия:    38 g

Features

OptimizedforuseinWeldingandSwitch-Mode

PowerSupplyapplications

•Industrybenchmarkswitchinglossesimprove

efficiencyofallpowersupplytopologies

•50%reductionofEoffparameter

•LowIGBTconductionlosses

•LatesttechnologyIGBTdesignofferstighter

parameterdistributioncoupledwith

exceptionalreliability

•IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

ultra-soft-recoveryanti-paralleldiodesforusein

bridgeconfigurations

•IndustrystandardTO-247ACpackage