Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada
Консультация

Infineon FP40R12KT3G Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

FP40R12KT3G Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель:

Infineon

Категория продукта:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A

RoHS:

 Подробности

номер производителя:

FP40R12KT3G

заявка:

Низкая паразитная индуктивность конструкция модуля

  техническая спецификация

FP40R12KT3G

   

 

Особенности

Производитель:      Infineon 

Категория продукта:   Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 

Продукт:    IGBT Silicon Modules    

Конфигурация:  Hex 

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:      1200 V   

Непрерывный коллекторный ток при 25 C:     55 A

Упаковка / блок:    Econo 3  

Максимальная рабочая температура:   + 125 C  

Торговая марка:    Infineon Technologies   

Высота:       17 mm   

Длина:    122 mm 

Максимальное напряжение затвор-эмиттер:       +/- 20 V 

Минимальная рабочая температура:      - 40 C    

Вид монтажа:   Screw    

Размер фабричной упаковки:  10   

Ширина:       62 mm

 

From: www.rumjd.com/news

Больше
Количество кликов:0 | Время обновления:2016-08-19 17:44:40
Copyright © 2012-2013 Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada Права защищены 粤ICP备05062024号-15
Телефон:86755-83294757    Факс:0755-83957753    Email:sales@hkmjd.com
Адрес:Здание Азии Guoli комнаты 1239, 1241, ул. Zhenzhong, заречье Futian, город Шэньчжэнь, Китай.