Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada
Консультация

MJD122T4 MJD122T4G Транзисторы Дарлингтона 8A 100V Bipolar Power NPN

производитель

ON

модель Изготовитель

MJD122T4G

Описание

Транзисторы Дарлингтона 8A 100V Bipolar Power NPN

заявка

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Техническая спецификация

MJD122T4

Детали

Особенности

Образ

 

ФУНКЦИИ

Категория продукта:  Транзисторы Дарлингтона 

Производитель:     ON Semiconductor  

RoHS:   Соответствует RoHS Подробности 

Конфигурация:  Single   

Полярность транзистора: NPN     

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:    100 V   

Напряжение эмиттер-база (VEBO):      5 V

Напряжение коллектор-база (VCBO):  100 V   

Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A

Максимальный ток отсечки коллектора:      10 uA   

Pd - рассеивание мощности:     20 W   

Вид монтажа:    SMD/SMT   

Упаковка / блок:    TO-252-3 (DPAK)    

Максимальная рабочая температура:    + 150 C

Серия: MJD122

Упаковка:   Reel     

Торговая марка:    ON Semiconductor  

Непрерывный коллекторный ток: 8 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):    100, 1000   

Высота:   2.38 mm    

Длина: 6.73 mm    

Минимальная рабочая температура: - 65 C  

Размер фабричной упаковки: 2500    

Ширина:   6.22 mm

 From: www.rumjd.com/news

Больше
Количество кликов:0 | Время обновления:2017-01-14 11:48:30
Copyright © 2012-2013 Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada Права защищены 粤ICP备05062024号-15
Телефон:86755-83294757    Факс:0755-83957753    Email:sales@hkmjd.com
Адрес:Здание Азии Guoli комнаты 1239, 1241, ул. Zhenzhong, заречье Futian, город Шэньчжэнь, Китай.