Поставка MOSFET IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5 N-канальный транзистор 80 В 300 А, Mingjiada производит только оригинальные, заводские запасы, новые запасы, ценовое преимущество, обращайтесь по адресу sales@hkmjd.com!
Производитель: Инфинеон Технологии
Модель продукта: IPT012N08N5 IPT012N08N5ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Описание: Поверхностный монтаж N-канальный 80 В 300 А (Tc) 375 Вт (Tc) PG-HSOF-8-1
Характеристики
N-канальный полевой транзистор
Технология MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss) 80 В
Ток при 25°C - непрерывный сток (Id) 300A (Tc)
Управляющее напряжение (макс. Rds On, Min Rds On) 6 В, 10 В
Сопротивление во включенном состоянии (макс.) при различных Id, Вгс 1,2 мОм при 150А, 10В
Vgs(th) (макс.) при разных Id 3,8 В при 280 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных значениях Vgs 223 нКл при 10 В
Vgs (макс.) ±20 В
Входная емкость (Ciss) при Vds (максимум) 17000 пФ при 40 В
Функция полевого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 375 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
