ON NTMFS4C028NT1G N-канальный МОП-транзистор - FET

N-канальные полевые МОП-транзисторы среднего напряжения NTMFS4C028 представляют собой полевые МОП-транзисторы с напряжением питания 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием усовершенствованного траншейного процесса в сочетании с технологией экранированных затворов. Процесс оптимизирован для минимизации сопротивления во включенном состоянии, а отличные диоды в мягком корпусе обеспечивают отличные характеристики переключения.

свойства продукта

N-канальный полевой транзистор

Технология MOSFET (оксид металла)

Напряжение сток-исток (Vdss) 30 В

Ток при 25°C — непрерывный сток (Id) 9A (Ta)

Напряжение привода (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В

Сопротивление во включенном состоянии (макс.) при различных Id, Вгс 5,8 мОм при 30А, 10В

Vgs(th) (макс.) при разных Id 2,1 В при 250 мкА

Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных значениях Vgs 10,9 нКл при 4,5 В

Vgs (макс.) ±20 В

Входная емкость (Ciss) при Vds (макс.) 1252 пФ при 15 В

Функция полевого транзистора -

Рассеиваемая мощность (максимальная) 760 мВт (Ta), 25,5 Вт (Tc)

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (ТДж)

Тип монтажа Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5-отводный

заявление

Мощность процессора

преобразователь постоянного тока в постоянный

Электронная почта: sales@hkmjd.com