Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada
Консультация

Силовой MOSFET IRF3808STRRPBF IRF3808 N-канальный поверхностного монтажа тип 75 В 106 А

Mingjiada поставляет силовые MOSFET IRF3808STRRPBF IRF3808 N-канальные поверхностного монтажа типа 75 В 106A, новые и оригинальные, в наличии, добро пожаловать к нам, если вы заинтересованы.
 
Номер модели: IRF3808STRRPBF
Номер партии: 11+
Упаковка: TO-263
Описание: МОП-транзистор N-CH 75V 106A D2PAK
 
Преимущество
 Передовая технология процесса
 Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии
 Динамический показатель dv/dt
 Рабочая температура 175°C
 Быстрое переключение
 Повторные лавины допускаются до Tjmax
 Без свинца
 
Параметры недвижимости
Тип изделия: МОП-транзистор
Технология: Si
Стиль монтажа: SMD/SMT
Упаковка / футляр: TO-252-3
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 75 В
Id - непрерывный ток стока: 106 A
Rds On - сопротивление включения стока-источника: 7 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В
Vgs th - пороговое напряжение источника затвора: 4 В
Qg - заряд затвора: 150 нК
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd - рассеиваемая мощность: 200 Вт
Режим канала: Усиление
Конфигурация: Одиночный
Время спуска: 120 нс
Прямая транскондуктивность - мин: 100 S
Высота: 2,3 мм
Длина: 6,5 мм
Время нарастания: 140 нс
Типичное время задержки закрытия: 68 нс
Типичное время задержки включения: 16 нс
 
Типовые применения
Промышленное автомобилестроение 
Больше
Количество кликов:0 | Время обновления:2022-11-14 13:38:54
Copyright © 2012-2013 Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada Права защищены 粤ICP备05062024号-15
Телефон:86755-83294757    Факс:0755-83957753    Email:sales@hkmjd.com
Адрес:Здание Азии Guoli комнаты 1239, 1241, ул. Zhenzhong, заречье Futian, город Шэньчжэнь, Китай.