Информация

BSM200GB120DN2

Модель：BSM200GB120DN2
Бренд：Infineon

Номер：13+ROHS
Корпус：IGBT
Первоначальная цена：500
Количество：38538
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Телефон：86755-83294757
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Примечание：原装现货100% new and original in stock

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Подробные

BSM200GB120DN2 - IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) - Siemens Semiconductor Group

Manufacturer: Infineon

Product Category: IGBT Modules

RoHS: RoHS Compliant Details

Brand: Infineon Technologies

Product: IGBT Silicon Modules

Configuration: Half Bridge Module

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V

Continuous Collector Current at 25 C: 290 A

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Power Dissipation: 1.4 kW

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Package / Case: Half Bridge2

Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V

Mounting Style: Screw

**注意 & Noted:

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BSM200GB120DN2 Взаимосвяз. продук

BS801B

￥0

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BSP52 E6327

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BSM150GB60DLC

￥150

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BSM200GB120DN2 Взаимосвяз. модели

Модель	Бренд	Номер	Корпус	Количество	Примечание	Материал
BSM150GB60DLC	Infinoen	13+RoHs	IGBT	78005	100% 全新原装（Brand new)
BSM150GB120DN2	Infineon	13+RoHS	IGBT MODULE	500	全新原装正品现货(New and original in stock)
BSM150GB120D	Infineon	13+RoHS	IGBT MODULE	500	全新原装正品现货(New and original in stock)
BSM150GB120	Infineon	13+RoHS	IGBT MODULE	500	全新原装正品现货(New and original in stock)
BSM400GA120DN2S	EUPEC	13+RoHS	IGBT MODULE	500	全新原装正品现货(New and original in stock)
BSM100GB120DN2K	INFINEON	18+	MODULE	10000	原装现货original spot stock
BSM200GA120DN2	Infineon	13+ROHS	standard	86386	原装现货100% new and original in stock
BSM200GB120DN2	Infineon	13+ROHS	IGBT	38538	原装现货100% new and original in stock